内存颗粒上kor和korea什么意思(korea是什么牌子)

我的三星水货9100查出一个码是KOR是什么意思，生产日期是2012.5.12，是这么回事

KOR=KOREA 韩国，这个是国际通用缩写

首先，韩国不只是生产韩版机器。

其次，有些不良商家会把韩版机器做处理，换个壳子翻一下，当成欧版的卖。（韩版机器进价便宜，二手机也相对不值钱）

如何辨别内存的真假

辨别方法：

看颗粒信息

内存上面最明显的就是上面的颗粒，正品的内存颗粒上面光滑平整，文字印制的比较清晰。而仿品颗粒上面可以看见有很多细小的摩擦痕迹，表面也不是很平整，还有文字上的错误。正品下面的文字是“KOR”，但是假货下面的文字居然写成了“KOREA”拼写上存在着误差。

内存侧面

接下来看内存芯片的侧面，首先看见的区别就是，正品内存芯片下方的电容组一个不少的在那里“站岗”。但是假货的电容组，可以不用说组了，就那么孤单的一个，其他的都被省略了。另外正品侧面引脚的间距比较大，但是仿品的引脚间距就比较密集，暴露了是假货的真面目。

细节辨别

在内存芯片上面通过仔细观察，就是我画圈的位置。正品的下角有一个定位坑点，是用来固定颗粒用的，表面上看还比较清楚呢。而假现代内存芯片上，坑点没有了，不知道是本来就没有，还是由于表面涂了一层漆。在购买的时候，如果芯片上的坑点没有或者是不清楚，那么就要慎重考虑是否购买了。

金手指的差别

正品在做工方面是比较讲究的，所以没有放过一个细节。正品金手指由于用材和做工都比较好，所以表面看起来整洁，没有任何划痕。而仿品的做工比较粗糙，表面已经开始出现氧化的现象，磨损的比较严重。另外我们看正品的金手指外侧是凸出一小块的。但是仿品这边直接全是平行的，这又说明了在做工方面没有用心。

耐用性方面

购买电子产品的时候，除了看品牌之外，最主要的还是看耐用性，因为在使用的时候谁都不愿意不定期的更换。正品现代内存质量是没的说，耐用性非常好。但是假货的，由于成本廉价，做工也不是很精细，所以经常出现问题，必须要重新更换才可以。不仅浪费时间，心情也会随着变得比较糟糕。

上面写的HYUNDAI KOREA

内存颗粒是“现代”的，korea是韩国的意思，现代内存颗粒是产于韩国的

至于型号，你没把标签上的内容写全，没办法判断，400是DDRI的，跟DDRII接口不一样的，可以试一下，插不上去就说明不能用了

请问我内存上的这些代码是什么意思？我想升级再买一内存该买哪牌子的？

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代

表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm

TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改

换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

请问内存条颗粒上的那字母分别代表什么意思呀HY57V64820HG 021A FH KOREA这颗内存是多大了呀？

其中HY代表现代的厂家,其中第6位和第7位代表的是单个棵粒内存的容量,其它的只是普通的参数.你要是想知道内存的总容量多的我这里有个公式:

总容量=单个棵粒的容量/8*棵粒的个数

也就是说: 总容量=64mbit/8bit*8

这样就哦了!

要是28就是128mbit

56就是256mbit

内存上写着HY5DU56822AT-JKOREA这是什么意思啊?

威刚内存现代内存颗粒

256M 333

第1行

第1行是内存颗粒的生产厂家和产地，“HYUNDAI”表示现代公司，“KOREA”为韩国;

第2行

①→此处为内存颗粒的生产厂家，“GM”表示LGS公司，“HY”表示现代公司。注:原先的7J、7K和75的现代内存颗粒是由LGS公司生产的，后来LGS和现代公司合并，从此对外都称为现代内存（HYUNDAI）;

②→此处表示内存的类型，“72”、“57”均表示该内存为SDRAM。“5D”为DDR SDRAM;

③→此处为内存的额定工作电压，“V”表示3.3V电压;

④→此处为内存的内存颗粒的容量和刷新，其中16为32Mbit、4K刷新;“28”为128Mbit、4K刷新;“64”为64Mbit、8K刷新;“66”为64Mbit、4K刷新;“56”为256Mbit，8K刷新;

⑤→此处为内存的数据带宽，它表示内存颗粒的数据位宽。“4”为4bit，“8”为8bit，“16”为16bit，“32”为32bit;

⑥→此处为内存的芯片组成，“1”为1Bank，“2”为2Bank，“4”为4Bank;

⑦→此处为内存I／O接口，“0”=LVTTL，“1”=SSTL-3;

⑧→此处为内存的内核代号;

⑨→此处表示内存的功耗，空白时为普通功耗，“L”为低功耗，此处为空白;

⑩→此处表示内存的封装形式，“T”=TSOP，“Q”=TQFP，“I”=BLP，“L”=CSP;

→这里表示的就是内存的工作速度，其中“75”为7.5ns（133MHz）、“7K”为10ns（PC100、CL为2、3）、“7J”为10ns（PC100、CL3）、“10K”为10ns（PC66）;在某些使用现代颗粒的显存中，6为6ns（166MHz）、65为6.5ns（153MHz）、7为7ns（143MHz）、75为7.5ns（133MHz）、8为8ns（125MHz）;

需要注意的是，现在市场上出现的现代内存，T-H内存颗粒是原来75的替代型，速度为PC133;而T-P内存颗粒则是原来7J、7K的替换型，速度为PC100。

第3行

表示该内存的生产日期，如“0024”就是2000年的第24周生产的。

现代内存的特点主要是价格便宜，兼容性好。但是其速度不高，一般7J、7K的现代内存条只能在100MHz CL3下工作，而75和T-H的现代内存条相对要好些，它能在133MHz CL3下工作，但在CL为2时仍无法正常工作。