砷化镓以什么化学键(砷化镓离子键)

砷化镓属于哪类化合物

GaAs是原子晶体，共价化合物。其晶体结构是闪锌矿结构，它由面心立方晶格套构而成。每个Ga原子与它周围四个As原子间靠共价键结合。但是砷化镓中的Ga-As原子间的键合，不是纯粹的共价键，由于Ga、As的负电性差异产生极性，称为极性键，具有离子键的特征，因此砷化镓中离子键成分大约37%。

Gap/gaAs 二种元素 磷化镓/砷化镓

磷化镓

磷化镓

GaP

人工合成的化合物半导体材料。橙红色透明晶体。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃（），化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20％，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。磷化镓分为单晶材料和外延材料。工业生产的衬底单晶均为掺入硫、硅杂质的N型半导体。磷化镓单晶早期通过液相法在常压下制备；后采用液体覆盖直拉法。现代半导体工业生产磷化镓单晶都是在高压合成炉中，采用定向凝固工艺合成磷化镓多晶，进行适当处理后装入高压单晶炉进行单晶拉制。磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管，汽相外延加扩散生长的材料，可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。

砷化镓集成电路

用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。

砷化镓是什么晶体结构

砷化镓是立方晶系闪锌矿型结晶结构。

闪锌矿型结构，又称立方硫化锌型结构。属立方晶系，为面心立方点阵。属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积，A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A、B原子间为共价键联系。

砷化镓晶体中含有非极性键吗

有。

1、CH33Ga为非极性分子，其中镓原子的杂化轨道类型是sp2。

2、CH就是非极性键。

3、所以砷化镓晶体中含有非极性键。