长效fet方案什么意思的简单介绍

AMD锐龙R系可以抗衡英特尔i5吗

AMD锐龙R系可以抗衡英特尔i5。

锐龙一代的8核16线程王牌处理器：锐龙1700X，便和7代酷睿打得火热，在多核心性能上也是大幅领先于i7 7700k，因为i7仅仅只有4核8线程，依靠核心数量上的绝对优势，可以说是完全碾压英特尔的。

整整一倍的差距，即使i7单核心性能再强，也不可能超越8核心16线程的1700X ，加上AMD处理器价钱便宜，很多玩家自从一代锐龙开始，便抛弃了英特尔，转投到amd旗下，到了二代R7，性能参数和i7 8700K对比，也是当仁不让，英特尔没有胜算的把握。

一代来说，8核16线程的锐龙1700X价格与4核8线程的I7 7700K相当，尽管锐龙频率低一些，但是同频性能已经和酷睿差距很小，更重要的是在核心数量上整整相差一倍，这不是提高一点频率就能轻易赶上来的差距。

可以这样说，锐龙和酷睿在同价位上的产品PK的话，单核性能酷睿占优，多核性能锐龙秒杀酷睿，同时AMD平台搭建成本更低，在这种情况下，务实的用户自然选择锐龙。

扩展资料：

一、AMD锐龙简介：

AMD 1331针接口处理器“Ryzen”系列，中文名称为“锐龙”，于2017年2月21日首次发布。截至2020/4/17，最新的锐龙4000系列和线程撕裂者3代均采用7nm制程和zen2架构。

二、AMD锐龙的外观特点：

不同于其他的CPU，锐龙的APU中集成了GPU，更加节约电脑的内部空间。从型号上分为R3,R5,R7,R9和线程撕裂者，从代次上分为锐龙1000,2000,3000，4000；线程撕裂者1代，2代，3代。采用zen系列架构。部分集成GPU（即APU）。有14nm,12nm和7nm3种制程。

三、AMD锐龙的规格参数：

1、R7 4000-4700U

CPU 核心数量：8

线程数量：8

GPU 核心数量：7

基准时钟频率：2.0GHz

最大加速时钟频率 ：4.1GHz

二级缓存总计：4MB

三级缓存：8MB

CMOS：TSMC 7nm FinFET

封装：FP6

PCI Express 版本：PCIe® 3.0

默认 TDP/TDP：15W

cTDP：10-25W

最高温度：105°C

2、R5 4000-4500U

CPU 核心数量：6

线程数量：6

GPU 核心数量：6

基准时钟频率：2.3GHz

最大加速时钟频率 ：4.0GHz

二级缓存总计：3MB

三级缓存：8MB

CMOS：TSMC 7nm FinFET

封装：FP6

PCI Express 版本：PCIe® 3.0

默认 TDP/TDP：15W

cTDP：10-25W

最高温度：105°C

3、R7 3000-3700U

CPU 核心数量：4

线程数量：8

GPU 核心数量：10

基准时钟频率：2.3GHz

最大加速时钟频率 ：高达 4.0GHz

一级缓存总计：384KB

二级缓存总计：2MB

三级缓存：4MB

不锁频 ：否

CMOS：12nm

封装：FP5

PCI Express 版本：PCIe® 3.0

散热解决方案：不适用

默认 TDP/TDP：15W

cTDP：12-35W

最高温度：105°C

4、R5 3000-3500U

CPU 核心数量：4

线程数量：8

GPU 核心数量：8

基准时钟频率：2.1GHz

最大加速时钟频率 ：高达 3.7GHz

一级缓存总计：384KB

二级缓存总计：2MB

三级缓存：4MB

不锁频 ：否

CMOS：12nm

封装：FP5

PCI Express 版本：PCIe® 3.0

散热解决方案：不适用

默认 TDP/TDP：15W

cTDP：12-35W

最高温度：105°C

5、线程撕裂者 3代-3990X

CPU 核心数量：64

线程数量：128

基准时钟频率：2.9GHz

最大加速时钟频率 ：高达 4.3GHz

一级缓存：4MB

总二级缓存：32MB

三级缓存：256MB

不锁频 ：是

CMOS：TSMC 7nm FinFET

封装：sTRX4

PCI Express 版本：PCIe 4.0

默认 TDP/TDP：280W

最高温度：95°C

主动呼吸循环技术包括哪些内容

主动循环呼吸技术（ACBT）：它是一组特定的呼吸练习方法，属于呼吸训练中气道廓清技术的一种常用方法，旨在去除支气管中多余的分泌物。

三个部分组成：

（1）呼吸控制（BC）——作用是放松紧张的呼吸肌，避免气道痉挛

方法：呼吸控制（BC）帮助患者进行轻柔的潮气量呼吸，治疗师把手放于患者腹部，引导患者进行腹式呼吸。

（2）胸廓扩张运动（TEE）——作用是松动分泌物，充分扩张胸廓和肺脏，改善呼吸肌力量

方法：胸廓扩张运动（TEE）治疗师手放置在患者胸廓两侧，引导患者吸气时尽量扩张胸廓，保持三到五秒钟，再做缩唇呼吸，慢慢把气体呼出。

（3）用力呼气技术（FET）——作用是扩张塌陷的气道，增加有阻塞但未闭合气道的气流，移动并清除分泌物。

方法：用力呼气技术（FET）包含了1-2个用力呼气“HUFF”，随后进行呼吸控制(BC)一段时间，再开始下一次。先低肺容积位呵气，移除外周分泌物，再高肺容积位呵气，排出分泌物。

体位：常用半卧位或坐位，能让病人呼吸肌放松，减少呼吸困难，提高肺容积。

主动循环呼吸技术步骤：

1、呼吸控制-正常潮气量的腹式呼吸，三到四次放松呼吸肌

2、三到四次胸廓扩张练习：在肺活量内做深吸气，然后屏气三到五秒，最后放松呼气。

3、呼吸控制

4、三到四次胸廓扩张练习

5、呼吸控制

6、用力呼气技术：中到低肺容积1-2次呵气，腹部肌肉收缩，增大呵气流速和流量

7、呼吸控制

氮化镓（GaN）手机快充方案

氮化镓（GaN）手机快充方案

氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压，GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。

一、氮化镓（GaN）器件介绍：

GaN器件分为两种类型：

耗尽型：耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。

增强型：增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。

GaN VS MOSFET：

他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。

二、手机快充介绍：

能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。

实现手机快速充电方法：

1.电压不变，提高电流；

2.电流不变，提升电压；

3.电压、电流均提高。

手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。

三、氮化镓（GaN）快充：

氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。

氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分

充电器部分：充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。

电源管理部分：相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段：预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。

关于电子元件的封装？像那些SOP/SOJ/SOT/IC……这些有关系么？是什么区别与联系？

常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。

典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等。电脑主板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。

一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。我们先从标准的封装外形规格说起。

TO封装

TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。

TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PA K。

-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。

SOT封装

SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。常见的规格如上。

主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。

SOP封装

SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。

SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。

SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。

这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。

QFN-56封装

QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。这种封装也称为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。

最新封装形式

由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。

下面分别介绍主要MOSFET厂商最新的封装形式。

瑞萨（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装

WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。

LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。

威世Power-PAK和Polar-PAK封装

Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。Polar PAK是双面散热的小形封装。

安森美的SO-8和WDFN8扁平引脚封装

安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多主板采用。

菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封装

首先开发SO-8的菲利普也有改进SO-8的新封装技术，就是LFPAK和QLPAK。

意法（ST）半导体的PowerSO-8封装

法意半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。

飞兆（Fairchild）半导体的Power 56封装

国际整流器（IR）的Direct FET封装

Direct FET封装属于反装型的，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。

内部封装技术

前面介绍的最新封装形式都是MOSFET的外部封装。这些最新封装还包括内部封装技术的改进，尽管这些新封装技术的商标名称多种多样，其内部封装技术改进主要有三方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。

封装内部的互连技术:

早期的标准封装，包括TO，D-PAK、SOT、SOP，多采用焊线式的内部互连，在CPU核心电压较高，电流较小时期，这种封装可以满足需求。当CPU供电进展到低电压、大电流时代，焊线式封装就难以满足了。以标准焊线式SO-8为例，作为小功率MOSFET封装，发热量很小，对芯片的散热设计没有特别要求。主板的局部小功率供电（风扇调速）多采用这种SO-8的MOSFET。但用于现代的CPU供电就不能胜任了。这是由于焊线式SO-8的性能受到封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳的热阻等四个因素的限制。

封装电阻

MOSFET在导通时存在电阻（RDS(on)），这个电阻包括芯片内PN结电阻和焊线电阻，其中焊线电阻占50%。RDS(on)是影响MOSFET性能的重要因素。

封装电感

内部焊线的引线框封装的栅极、源极和漏极连接处会引入寄生电感。源极电感在电路中将会以共源电感形式出现，对MOSFET的开关速度有着重大影响。

芯片PN结到PCB的热阻

芯片的漏极粘合在引线框上,引线框被塑封壳包围，塑料是热的不良导体。漏极的热传导路径是芯片→引线框→引脚→PCB，这么长的路径必然是高热阻。至于源极的热传导还要经过焊线到PCB，热阻更高。

芯片PN结到外壳(封装顶部)的热阻

由于标准的SO-8采用塑料包封,芯片到封装顶部的传热路径很差

上述四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。随着电流密度要求的提高,MOSFET厂商采用SO-8的尺寸规格，同时对焊线互连形式进行改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，降低封装电阻、电感和热阻。

国际整流器（IR）称之为Copper Strap技术，威世（Vishay）称之为Power Connect 技术，还有称之为Wireless Package。

据国际半导体报道，用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。特别一提的是用铜带替换14根2-mil金线，芯片源极电阻从1.1 m降到 0.11 m。

漏极散热板

标准SO-8封装采用塑料把芯片全部包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。底部紧贴PCB的是塑料外壳。塑料是热的不良导体，影响漏极的散热。封装的散热改进自然是除去引线框下方的塑封混合物，让引线框金属结构直接（或者加一层金属板）与PCB接触,并焊接到PCB焊盘上。它提供了大得多的接触面积,把热量从芯片上导走。这种结构还有一个附带的好处,即可以制成更薄的器件,因为塑封材料的消除降低了其厚度。

世的Power-PAK，法意半导体的Power SO-8，安美森半导体的SO-8 Flat Lead，瑞萨的WPAK、LFPAK，飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用这种散热技术。

改变散热的热传导方向

Power-PAK封装显著减小了芯片到PCB的热阻，实现芯片到PCB的高效率传热。不过，当电流的需求继续增大时，PCB也将出现热饱和，因此散热技术的进一步改进是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。

瑞萨的LFPAK-I 封装，国际整流器的Direct FET封装就是这种散热技术。

整合驱动IC的DrMOS

传统的主板供电电路采用分立式的DC/DC降压开关电源，分立式方案无法满足对更高功率密度的要求，也不能解决较高开关频率下的寄生参数影响问题。随着封装、硅技术和集成技术的进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块（MCM）已经成为现实。。与分立式方案相比，多芯片模块可以节省相当可观的空间并提高功率密度，通过对驱动器和MOSFET的优化提高电能转换效率以及优质的DC电流。这就是称之为DrMOS的新一代供电器件。

DrMOS的主要特点是：

- 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。

- 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。

- 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。

- 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。

- 针对目标应用进行设计的高度优化。

MOSFET发展趋势

伴随计算机技术发展对MOSFET的要求，MOSFET封装技术的发展趋势是性能方面高输出、高密度、高频率、高效率，体积方面是更趋向小形化。

场管k2370参数电流耐压

场效应管k2370参数，最大电流20A 、耐压为500V、额定功率为120W。

场效应晶体管（Field EffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。