台积电为什么叫台漏电(台积电缺电)

tsmc为什么叫做台积电

Taiwan Semiconductor Manufactory Company

台湾积体电路有限公司

简称：台积电

在台湾“集成电路”（Semiconductor）被称为“积体电路”

台积电全称叫什么

台湾积体电路制造股份有限公司，中文简称：台积电，英文简称：tsmc，属于半导体制造公司。成立于1987年，是全球第一家专业积体电路制造服务（晶圆代工foundry）企业，总部与主要工厂位于中国台湾省新竹市科学园区。

2017年，领域占有率56%。2018年一季度，合并营收85亿美元，同比增长6%，净利润30亿美元，同比增长2.5%，毛利率为50.3%，净利率为36.2%，其中10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174亿美元，静态市盈率19。[1][2][3]

2018年8月3日晚，台积电传出电脑系统遭到电脑病毒攻击，造成竹科晶圆12厂、中科晶圆15厂、南科晶圆14厂等主要厂区的机台停线等消息。台积电证实，系遭到病毒攻击，但并非外传遭黑客攻击。[4]8月4日，台积电向外界通报已找到解决方案。

2020年7月16日，在台积电二季度业绩说明会上，发言人在会上透露，未计划在9月14日之后为华为技术有限公司继续供货。而美国政府5月15日宣布的对华为限制新规将于9月15日生效。2020年7月13日，台媒钜亨网曾报道，台积电已向美国政府递交意见书，希望能在华为禁令120天宽限期满之后，可继续为华为供货。[5]

2020年8月26日，台积电（南京）有限公司总经理罗镇球在2020世界半导体大会上表示，台积电的5纳米产品已经进入批量生产阶段，3纳米产品将在2021年面世，并于2022年进入大批量生产。[6]

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相关报道

企业事件

发展历史

1987年，张忠谋创立台积电，几乎没有人看好。但张忠谋发现的，是一个巨大的商机。在当时，全世界半导体企业都是一样的商业模式。Intel，三星等巨头自己设计芯片，在自有的晶圆厂生产，并且自己完成芯片测试与封装——全能而且无可匹敌。而张忠谋开创了晶圆代工（foundry）模式，“我的公司不生产自己的产品，只为半导体设计公司制造产品。”这在当时是一件不可想象的事情，因为那时还没有独立的半导体设计公司。

截至2017年3月20日，台积电市值超Intel成全球第一半导体企业。[11]

2018年6月5日，董事长张忠谋宣告正式退休。[12]

2018年7月19日，全球同步《财富》世界500强排行榜发布，台湾积体电路制造股份有限公司排名368位。[13]

2018年12月，世界品牌实验室发布《2018世界品牌500强》榜单，台积电排名第499。[14] 2019年，台积电Q1季度营收71亿美元，同比下滑了16%。整体行业排名第三名。[15] [16]

2019年7月，日本宣布限制三种半导体材料，台积电未雨绸缪，也开始排查供应链风险，成立了由晶圆厂、资产管理、风险管理及质量管理等单位组成的小组，首先协助台积电的供应商就潜在的风险制定运营可持续计划，提升供应链的抗风险能力。[16]

2019年10月，在福布斯全球数字经济100强榜排第19位。[17]

股份构成

荷兰飞利浦公司持股14%，台湾当局“行政院”持股12%。

2002年，由于全球的业务量增加，台积公司是第一家进入半导体产业前十名的晶圆代工公司，其排名为第九名。台积公司预期在未来的数年内，这个趋势将会持续的攀升。

台积电

除了致力于本业，台积公司亦不忘企业公民的社会责任，常积极参与社会服务，并透过公司治理，致力维护与投资人的关系。台积公司立基台湾，客户服务与业务代表的据点包括上海、新竹、日本横滨、荷兰阿姆斯特丹、美国加州的圣荷西及橘郡、德州奥斯汀，以及波士顿等地。

台积电是什么

台积电是台湾积体电路制造股份有限公司的简称。属于半导体制造公司。

身为业界的创始者与领导者，台积公司是全球规模最大的专业集成电路制造公司，提供业界最先进的制程技术及拥有专业晶圆制造服务领域最完备的组件数据库、知识产权、设计工具、及设计流程。台积公司目前总产能已达全年430万片晶圆，其营收约占全球晶圆代工市场的百分之六十。

于2002年，由于全球的业务量增加，台积公司是第一家进入半导体产业前十名的晶圆代工公司，其排名为第九名。台积公司预期在未来的数年内，这个趋势将会持续的攀升。

5nm芯片集体翻车，出现了哪些问题？

5nm是EUV（极紫外线）光刻机能实现的目前最先进芯片制程工艺，也是智能手机厂商争抢的宣传卖点，进入2020年下半年后，苹果A14、麒麟9000、骁龙888等5nm工艺芯片相继粉墨登场。

然而，公开的信息显示，无论A14、麒麟9000，还是骁龙888，均被曝出芯片的实际功耗发热与厂商宣传的美好相差甚远，一时间，“5nm芯片集体翻车”的话题成为网络热点。

一、骁龙888功耗等于低压酷睿？

根据AI财经社的报道，5nm芯片最让人诟病的，是性能虽然有所提升，但功耗却比7nm的明显增加，这其中表现最差的就是骁龙888，被调侃为“火龙888”。

数码评测媒体极客湾对骁龙888、骁龙865、骁龙855测试的功耗数据表明，单核功耗上，骁龙865最低，为2.3瓦，其次是骁龙855的2.4瓦，骁龙888最高，达3.3瓦，相比骁龙865高了1瓦，高出幅度达43.5%。多核功耗方面，最低的依然是骁龙865，为5.9瓦，其次是骁龙855的6.1瓦，骁龙888依然落在最后，功耗高达7.8瓦，是骁龙865的1.32倍。具体见下图。

骁龙888多核功耗高达7.8瓦是个什么概念？英特尔第11代低压酷睿i7处理器的功耗在7——15瓦，可用于超轻轻薄笔记本电脑（在无风扇散热时，功耗锁定为7瓦）。也就是说，骁龙888的多核功耗已经相当于一颗第11代低压酷睿i7处理器，但需要明确的是，低压酷睿i7处理器采用的是10nm工艺制程，落后台积电、三星的5nm不少。

英特尔处理器采用复杂指令集，理论上相比采用精简指令集的骁龙888更为耗电，但骁龙888在占据工艺先进至少一代的优势下，功耗竟然相当于英特尔低压酷睿。不知道英特尔看到这里会是什么心情。

骁龙888功耗猛增，最直观的体验就是，手机如果运行较大型的游戏，发热就比较明显。极客湾的数据表明，在某款游戏的测试中，玩了20分钟后，小米11背面温度达到了48℃，而搭载骁龙865的小米10在相同的测试环境下，温控表现更好只有41℃。

爱范儿对搭载A14芯片的iPhone12运行《原神》游戏测试表明，20分钟后，手机背面最高温度达到47℃，接近小米11。

5nm的芯片在制程工艺上更先进，为何功耗表现却落后于7nm的芯片？答案是和芯片内部的晶体管漏电有直接关系。

二、为何晶体管漏电是元凶？

A14、骁龙和麒麟等手机SoC芯片属于数字集成电路，而随着制造工艺的不断进步，集成电路的功耗越来越复杂，但总体可分为电路逻辑状态转换产生的动态功耗，以及CMOS晶体管各种泄露电流产生的静态功耗（又称漏电流功耗）。

在芯片进入深亚微米工艺时代之前，动态功耗一直是芯片设计关注的焦点，但在进入深亚微米工艺时代之后，动态功耗在总功耗中的比例越来越小，静态功耗的比例则越来越大。

当芯片制造工艺进入纳米时代后，漏电流功耗对整个功耗的影响已经变得非常显著。有研究表明，在90nm工艺的电路中，静态功耗可以占到总功耗的40%以上。

究其原因，是因为集成电路每一代制造工艺的进步，都是以缩短CMOS晶体管的沟道长度为目标，7nm工艺指的就是指沟道长度。沟道长度不断缩短，使得电源电压、阈值电压、栅极氧化层厚度等工艺参数也在不断地按比例缩小，直接导致短沟道效应（SCE）、栅极隧穿电流、结反偏隧穿电流等漏电流机制越来越显著，表现为芯片漏电流功耗不断上升。

有研究表明，当晶体管的沟道长度从130nm缩短到90nm时，即缩小30.77%，漏电流功耗上升大约39.25%，但缩短到45nm，即缩小65.4%时，漏电流功耗上升大约273.28%（具体见下图）。

也就是说，漏电流功耗和缩小的沟道长度之间不是简单的比例关系，即使沟道长度缩短一点，漏电流功耗也会有一个数量级的增长，而且随着沟道长度越来越短，漏电流功耗增长越来越快。

如果复盘芯片制造历史，会发现漏电流功耗曾长期困扰英特尔、三星和台积电等制造大厂。

三、台积电为何被称台漏电？

长期以来，芯片制造大厂一直在和漏电流功耗作斗争，每有进展，都是值得大书特书的新闻，比如英特尔。

相反，台积电2010年刚推出28nm工艺制程时，由于技术不成熟，漏电流功耗高，导致芯片的功耗大到难以接受，被市场调侃为“台漏电。”有长达6年时间，都摘不掉这顶帽子。

在当时，如何压制漏电流功耗几乎可以决定芯片工艺制程赛道上选手的身位。彼时，英特尔还是制造技术大拿，率先通过Gate-last技术压制了漏电流功耗，台积电则走了一些弯路，沿用IBM的Gate-first 技术，但效果不佳，在28nm上栽了跟斗，后在蒋尚义的主导下，改走英特尔Gate-last技术路线，才算解决漏电流功耗过高难题。

2011年第4季度，历经波折后，台积电终于量产成熟可靠的28nm制程。三星本来在32纳米制程也采用Gate-first 技术，但后来在28 纳米制程时，快速切换到Gate-Last 路线，之后的14纳米也基于Gate-Last。

梁孟松

据说，三星是通过台积电“叛将”梁孟松解决漏电流功耗问题，成功缩短与台积电的工艺差距。结果引发台积电起诉梁孟松，迫使后者离开三星半导体，辗转到中芯国际。

由此可见，压制晶体管漏电流功耗有多重要。

四、为何老迈的技术不退休？

台积电、三星和英特尔之所以能压制漏电流功耗问题，主要原因是采用了创新的鳍式场效应晶体管（简称FinFET，见附图），以替代传统的平面式晶体管。但由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的鳍式场效应晶体管（FinFET），通过局部技术改良，从28nm工艺制程一直沿用至今，可谓发挥到了极限。随着制程工艺进入EUV时代，漏电流功耗重新成为挑战。

在7nm时，老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术就应该谢幕了，由环绕栅极晶体管（GAAFET）接替。但由于技术风险和成本压力，大厂们在5nm时代仍不得不使用老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，结果就是如前文所述，5nm的芯片漏电流功耗飙涨，在功耗上集体翻车，几乎消耗掉制程工艺进步的红利。也可以看出，芯片制造技术每往前跨一步，其实都极为不易。