三星3dmlc是什么(三星3dtlc)

SSD里的SLC、3 bit MLC、MLC、TLC是什么意思？有什么区别，选SSD应该选择哪种？

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

3 bit MLC是三星的叫法，理论上可以视为TLC。三星由于在半导体上游的优势和先进的技术，所以三星的3 bit MLC比一般的TLC寿命要好得多！

请注意，以上只是纯理论，看看就行了！！！

至于选择什么样的SSD，要从SSD的发展来看。最开始的SSD是SLC芯片，寿命高但是价格更高，根本就没法普及；后来MLC芯片的SSD上市，因为价格便宜了，所以一般家庭用户用的起了，当然相比SLC芯片，MLC的性能也不错，所以SSD在这个时期得到了飞速的发展，其中最著名的就是三星的830、美光的M4；从2012年开始，一些技术牛的厂商开始尝试TLC芯片的SSD，代表性的产品就是840，因为性能不错，寿命够用

mlc是什么意思?

MLC是英特尔（Intel)在1997年9月最先开发成功的，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11)。

也就是说SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。

不过MLC架构有着缺点，首先是使用寿命较短，MLC架构只能承受约1万次的存取，远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度，SLC架构比MLC架构要快速三倍以上，加上MLC架构对于电力的消耗较多。

现在三星在大批量生产MLC芯片，而三星又出品ARM主控芯片，所以相对其他的MP3主控芯片三星的主控芯片和三星MLC芯片的兼容相就更好。使用其他MLC芯片的MP3由于兼容性的问题有时就会出现读写速度慢，有闪存坏块等问题。

可以说MLC无论是在成本上考虑还是在容量发展上考虑都是很好的发展方向，而现在需要做的是完善这个技术，更好的利用这个技术。

64层3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD评测

【IT168 评测】三星在3D NAND上算得上先行者，其早在2014年就推出了消费级市场中首款应用3D闪存的SSD——850 PRO/EVO。时隔近4年之后，三星终于拿出了850 PRO/EVO的升级产品——860 PRO/EVO，闪存颗粒的堆叠层数也进化到了64层，今天我们就来聊聊512GB的860 PRO。

一、外观/内部解析

860 PRO在包装上依然延续了三星SSD一贯的设计风格，正面右侧是产品图，左侧下方印有860 PRO的产品型号、SATA 6Gb/s的接口速度以及V-NAND的字样，右上角标有512GB的容量。

860 PRO的本体，外形是我们非常熟悉的2.5英寸大小，正面只有三星和SSD的全称字样，并没有产品型号，下面有一个红色的方块，右侧还有一个箭头用来指明接口方向。

SSD的背面，这里和产品相关的信息就比较多了，型号、容量、生产日期、工作电压电流等都非常详细。我们手上的这块512GB的860 PRO是在2017年11月生产的。

一般来说SSD背面的固定螺丝孔都是和背面一体的（也就是在背面挖个孔），而860 PRO背面的螺丝孔是和侧面的螺丝孔一体成型的，并且在表面进行了抛光处理。这种固定方式显然比在背面直接开孔更加稳固，当然这对SSD正面壳体的强度也有更高的要求。

硬盘接口部分，左侧7针的是SATA 3.0接口，理论带宽6Gb/s，右侧15针的是供电接口。

860 PRO的顺序读写速度最高可达560MB/s和530MB/s，随机读写速度最高可以达到100K IOPS和90K IOPS，这个速度放在SATA硬盘里也并不出众，毕竟SATA 3.0的接口带宽摆在那里。

小心拧下背面的三颗螺丝就可以把背面取下了（有两颗在铭牌贴纸下面），需要注意的是860 PRO的固定螺丝是不太常见的五角梅花螺丝，如果没有合适的螺丝头可以用一字代替。

取下背面之后你会发现860 PRO的PCB居然这么小，大约只有2.5英寸硬盘面积的1/3，说实话笔者在拆开后也被震惊了。

PCB正面由一颗主控+一颗缓存+一颗闪存颗粒组成，还有许多密密麻麻的电容。

PCB背面只有一颗闪存颗粒，加上正面的一颗，两颗一共组成512GB。在这么小的PCB上竟然可以装下500GB的文件，想想都觉得不可思议。

主控颗粒是三星自家的MJX控制器，关于这颗主控的核心数量、制造工艺等信息目前还不清楚，只知道它增加了对LPDDR4缓存的支持。

缓存颗粒为512MB的LPDDR4。

闪存颗粒为三星自家64层堆栈的3D MLC V-NAND，这也是三星的第四代3D NAND，单颗容量256GB，写入寿命600TBW，也就是约1200次全盘写入。

去年就已经有一些厂商推出了应用64层闪存颗粒的SSD了，比如西数的蓝盘3D NAND SSD、东芝的TR200，860 PRO和他们最大的区别就是使用了MLC的闪存颗粒。

二、基准性能测试

测试平台如下表：

测试环境、软件如下表：

测试平台是英特尔的第八代酷睿i7-8700K，搭配微星的Z370主板，两条金士顿骇客神条内存，主硬盘是英睿达的MX300 750GB，其余配置请看上表。

测试软件则是大家非常熟悉的AS SSD、ATTO、CDI、CDM、TxBENCH、PCMark 8以及三星自家的魔术师软件。

首先用CrystalDiskInfo看一下硬盘信息，确认当前的传输模式为SATA 3.0（6Gb/s），另外可以看到硬盘的通电次数只有2次，非常新。

熟悉AS SSD的朋友都知道，在所有硬盘跑分软件中它的分数是最低的，和官方标称值差距最大，我们手上的这块860 PRO 512GB的顺序读写速度分别能够达到524MB/s和488MB/s，单线程下的4K随机读写速度为45MB/s和119MB/s。

在切换到IOPS后，64线程下的读写速度分别可以达到97K IOPS和87K IOPS，和标称值有一些差距，但也在合理的范围内。

在ATTO的测试中，860 PRO 512GB的最高顺序读写速度分别有559MB/s和524MB/s，和官方值很接近了。

再来看CDM的测试，Q32T1下的顺序读写速度分别有558 MB/s和518MB/s，读取速度和ATTO的成绩基本一致。Q1T1下的随机读写速度为48MB/s和139MB/s。

在TxBENCH的测试中，554MB/s、510MB/s的顺序读写速度同样很接近官方标称值，单队列深度下的随机读写速度为47MB/s和122MB/s，这和前几款测试软件的成绩也是相符的。

再来看PCMark 8的存储测试，总分4979分，带宽285.35MB/s，这个成绩在SATA SSD中算比较高的了，但是如果你仔细对比过下面的每一个测试项的话，你会发现SATA SSD之间只有在进行重度Photoshop处理的时候才有比较明显的差距，其余测试项的差距基本都在一两秒以内。

最后再来看看三星自家魔术师软件的测试成绩，顺序读写分别有557MB/s和523MB/s，随机读写分别有96K IOPS和85K IOPS，顺序读写速度和ATTO的非常接近。

三、评测总结

在西数、东芝相继推出64层3D闪存颗粒的SSD之后，三星也终于拿出了同属64层堆栈的3D NAND SSD——860 PRO/EVO，新品正是基于自家V-NAND技术的第四代3D NAND，两者之间就是MLC和TLC的区别。

经过我们的测试，860 PRO 512GB的顺序读写速度基本在550MB/s和510MB/s以上，单线程下的4K随机读写速度基本在45MB/s和120MB/s以上。尽管SATA SSD之间的速度相差不大，但是凭借600TBW的总写入量（1200次的全盘写入次数），860 PRO无疑有着更加可靠的品质。

mlc是什么意思

MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC 大一倍。

MLC密度要大，自然有其优势，成本上来说，MLC也具有很大的优势。不少芯片厂商已从SLC制程转向MLC制程，06年8月，三星正式从SLC转向MLC，06年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。三星采用的芯片编号为K9G开头 K9L开头的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU开头 HYUV开头芯片也是MLC芯片。

扩展资料：

微软MLC的认证体系将根据操作能力和应用范围不同，划分成3个层次。

1、微软认证产品应用能手：通过六门课程中任意一门

2、微软认证办公应用专家：通过OfficeXP中任意两门 +Office整合

3、微软认证办公应用大师：通过全部六门课程

参考资料来源：百度百科-MLC

参考资料来源：百度百科-SLC MLC

固态硬盘的mlc和tlc和3dv-nand的区别

MLC可以储存更多的数据，可降低生产成本，寿命中等，传输速度较慢。

TLC传输速度更慢，价格便宜，但是寿命短，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。

3D NAND闪存的容量大、性能号、成本低、可靠性都有了保证。

MLC （微网独创多层次分佣 (MULTI-LEVEL COMMISSION)）

要解释MLC的话，必然要提到SLC。

MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。

TLC即Triple-Level Cell的缩写，是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。

TLC闪存也如当年MLC闪存一样，在攻克P/E使用寿命的难关后，在今年下半年走上主流舞台。目前各大主流主控厂商开发支持TLC闪存的主控，并且已经进化到第三代，有效提高TLC SSD的性能，延长TLC SSD的P/E使用寿命。

3dv-nand

而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。

优点：

3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了