骁龙835高频影响什么(骁龙835高频影响什么功耗)

骁龙835怎么样 高通骁龙835亮点特性全解析

2016年11月，Qualcomm（美国高通公司，下文简称高通）联合三星对外宣布，将共同带来全新的骁龙旗舰处理器——骁龙835，虽然官方发布这一消息时已是当天傍晚，但这则新闻仍然是在各个科技网站和社交平台上被刷爆，这也是继骁龙821之后，高通又一款真正意义上的顶级旗舰处理器。

时隔一个半月之后，高通在CES大会开幕的前一天正式发布骁龙835，随之而来的是一系列芯片相关参数逐个亮相，我们可以看到的是除了性能方面依然爆表之外，骁龙835在工艺制程、5G网络布局以及沉浸式体验上有着颇多亮点，下面我们不妨就来详细说说骁龙835为什么能够引起行业如此高的关注。

“数”读高通

无论是说起高通还是旗下的骁龙处理器，几乎都已经成为了智能手机品质的代名词，而用户也从最早期对一款产品外观、参数等方面的认识变得更加深入。成立于1985年的高通至今已经经历了30年的技术沉淀，目前已经是全球最大的无晶圆厂半导体公司。

以高通在技术方面的投入理念来看，将产品和技术研发成功仅仅是作为对行业推进的一个节点， 直到让各个终端厂商和用户真正用起来才是一个结果。来自高通方面的数据统计显示，高通成立至今在研发上的累计投入超过410亿美元，每年都有超过20%收入用于产品和技术上的研发。

在过去的2016年当中高通共发布了两款旗舰级处理器，分别是年初发布的骁龙820以及年中发布的骁龙821，而不可否认的是一款优秀的移动处理器平台足以对智能手机产业发展带来促进作用，于是我们可以看到在过去的2016年当中，有着例如三星S7、小米MIX、一加3T、锤子M1等叫好又叫座的优秀产品涌现，截止目前已经有200款以上的终端产品已经上市或正在研发当中。

骁龙835解析

来到2017年，唱主角的自然是这款刚刚发布的骁龙835，不过老实说在之前很多人都认为这次的新旗舰会命名为骁龙830，甚至不少媒体已经在前期的相关内容当中直接称其为骁龙830，不过有句话怎么说，打脸总是难免的，这次高通在处理器命名上玩了一点小心思。

骁龙835将是首款采用三星10nm FinFET工艺的量产处理器，在此之前的骁龙821采用的是14nm，一度认为在移动芯片平台至少会在14nm这个坎上停留一段时间，谁想下半年各家晶圆代工厂纷纷上马10nm，工艺上的激进突破跟中国手机市场现状真是一样一样的。

10nm究竟是个什么概念？我们知道在处理器当中有着数以亿计的晶体管，据悉骁龙835和苹果最新的A10 Fusion处理器晶体管都达到了30亿以上。而这个10nm是指晶体管的沟道长度，自然是长度越短体积就越小，从而在同样处理器尺寸的前提下能够放下更多的晶体管来提升性能，或是采用同样的晶体管数量制造出尺寸更小的处理器。

晶体管数量增多既能带来更高效的任务处理速度，也能达到降低处理器功耗和减少发热的目的。在工艺改进之后，相对于上一代旗舰处理器，骁龙835尺寸减小了35%，并实现了25%的功耗降低（相比骁龙801功耗降低50%），这样的设计也恰好迎合了目前主流产品在机身尺寸和续航上的设计方向。

整体来看骁龙835的各个组成部分，其集成了采用高通自研架构的Kryo 280八核CPU（大小核主频分别为2.45GHz和1.9GHz）和Hexagon 682 DSP，从而实现了任务处理和性能的提升；Adreno 540 GPU和支持双摄方案以及平滑光学变焦的Spectra 180 ISP则在图形处理和拍照方面带来明显的改进；骁龙X16 LTE调制解调器的应用使骁龙835成为全球首款支持千兆级下行速率的旗舰处理器，此外骁龙835的全新特性还包括Qualcomm Haven安全平台，通过提升生物识别与终端认证，为移动终端设备在安全性上提供支持。

骁龙835不止于性能

高通官方表示，全新的骁龙835在性能上的提升仅仅是一个方面，相对过去单纯的注重跑分、性能上的表现，此次更新在用户体验部分有更多的闪光点。

首先是充电，骁龙835带来了全新的高通QC 4充电标准，根据高通的数据显示，和上一代快充技术QC 3.0相比，QC 4可实现高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，使用QC 4充电五分钟将能使用五小时以上。来自高通的测试结果表明，相比QC 3.0，QC 4也会带来更低的发热量，充电的过程中机器的表面温度可以降低5度。

同时在QC 4快充技术当中集成了对于USB-PD和USB Type-C的支持，这就意味着QC 4在未来将兼容更多的充电技术，基于骁龙QC 4技术的移动终端也可以去主动适配更多的充电器和充电线缆。

在骁龙835正式到来之后，紧接着高通官方宣布了首款搭载骁龙835的设备，令人意外的是其并不是一款手机产品，而是与ODG联合发布的增强现实智能眼镜，骁龙835在用户体验上的重要改进也体现于此。

在沉浸式体验上骁龙835将满足VR/AR在性能、散热和能效限制上等各方面需求，同时将支持Google Daydream平台以实现高质量的移动VR体验，带来视觉、声音和交互的性能提升。

其中包括高达25%的3D图形渲染性能提升，以及通过Adreno 540视觉处理子系统支持的、高达60倍的色彩提升。骁龙835还支持4K Ultra HD premium（HDR10）视频、10位广色域显示、基于对象和基于场景的3D音频，以及出色的、包括基于高通自研的传感器融合技术的六自由度（6DoF）VR/AR 运动追踪。

而作为首款采用千兆级LTE调制解调器的骁龙835，在网络支持方面足以看出高通在研发上的前瞻性。骁龙X16 LTE调制解调器将为骁龙835带来Cat 16载波聚合，在真实网络下下行平均速率可以到114Mbps，下载一个203分钟的无损音频大概只需要2.4分钟，比Cat 4网络快大约3倍，比Cat 6网络快大约2倍。

下行速率的提升所带来的直观用户体验体现在前面所提到的VR视频当中以及云计算、娱乐体验以及即使APP应用等方面。而随着多个千兆级LTE网络预计于2017年在全球部署，不久之前高通联合合作伙伴NETGEAR和澳洲电信推出了全球首款千兆级别的移动Wi-Fi产品，澳洲电信也将于几个月之后面向其终端用户公开发售这些产品。

最后是在拍摄方面，骁龙835所配备的Spectra 180 ISP能够同时支持双摄方案以及平滑的光学变焦，可以预见的是在2017年将会有更多厂商发布采用双摄的产品。高通在骁龙835上推出了统一的全新架构，这个架构可兼容包括平滑变焦和黑白+彩色的拍照算法，也能让OEM方有更灵活的选择。

在之前EIS 2.0的基础上，骁龙835推出了EIS 3.0电子稳像技术，能够在拍照模式和光学变焦模式下尽可能的抑制画面的抖动，保持拍摄画面稳定。此外从骁龙820开始，高通就已经增加了对2PD对焦方式的支持，在骁龙835也将得到延续，并且未来在技术逐渐成熟之后或许会下放到更多其他系列的处理器。

总结：

因为篇幅的关系，关于骁龙835还有很多的技术优势无法一一在这里进行深入探讨，但可以肯定的是骁龙835的发布所影响的已经不仅仅是手机行业，今年或许我们也将在更多不同品类的智能设备当中看见骁龙835的身影。而对于终端厂商来说，骁龙835在性能以及用户体验上的提升也将助力于其在2017年带来更加优秀的旗舰产品。

搭载骁龙835的手机在使用体验上究竟有哪些改变？

个人认为是续航以及CPU性能这两点的改善。骁龙835由于采用了最新的10nm工艺，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%。能效比的提升使得续航表现有进步。骁龙835CPU性能方面一句话总结就是多线程不再是短板，这在开启应用的瞬间感知会更加明显。

骁龙835性能深度解析

对于当前的智能手机，SoC的重要性不言而喻。作为当前安卓阵营中最先进的平台，骁龙835在目前已经推出的旗舰机上有着：快且不热的优秀体验。从许多媒体的评价来看，骁龙835平台可以称得上近几年综合体验最为出色的一款处理器。因此，我们本期的机情观察室，就来看看骁龙835的深度性能究竟处于怎样的水平。

在骁龙835之前，骁龙处理器都被称为SoC(系统级芯片)，而到了这一代则改名为“Platform”(平台)，其用意在于高通对于移动计算平台的整个布局，而非单独的CPU、GPU等电器元件。骁龙835采用三星10nm FinFETLPE工艺，当前半导体工艺能达到量产的最高水准，不过此次采用的是LPE工艺，不排除高通会在后续升级一个LPP工艺的版本，类似骁龙820/821一样。另外，根据高通官方的说法，骁龙835上采用30亿颗晶体管，逼近iPhone7上采用的A10 Fusion 33亿的数量，这也是高通处理器距离iPhone自主设计的A系列最近的一次。因此也带来了良好的使用体验。

通过这个表格，我们可以看到骁龙835采用Kryo280架构，八核心设计，最高主频为2.45GHz，小核为1.9GHz，GPU为Adreno 540，主频为710GHz，整个芯片封装尺寸减小35%。而根据高通公司的数据，骁龙835功耗降低了25%(比骁龙801降低了50%)。此外，在骁龙835平台中，还集成了双14位Spectra 180 ISP、Hexagon 690 DSP、X16 Modem。可以看到，相比于其它家的SoC，高通在SoC上覆盖到更多的计算区域，将处理器打造成智能手机的全面管家，通过“人无我有、人有我优”的概念，全面进驻到各区域。在笔者看来，这也是高通在这一代将移动处理器改名为“平台”的原因。

CPU性能测试：

在骁龙820上，高通首次打造出64位自研的Kryo架构，其独特的架构对于浮点IPC的运算有着非常不错的性能，但在整数IPC的运算方面则还不如ARM官方的A57架构，并且在功耗方面也并不够优秀。因此高通在骁龙835上采用全新的Kryo 280架构，尽管同名为Kryo，但此“Kryo非彼Kryo”，Kryo280并非常规升级的产物，而是采用全新架构。

简单来说，Kryo280采用八核心类似BigLittle架构，采用四颗性能大核+四颗效率小核，不过Kryo280最具特色的，还是其成为第一个采用ARM新架构之上重新设计的架构，“Built on ARM Cortex Technology”这项技术允许供应商重新根据自己的需求修改公版架构，比如厂商可以应自己需求去定制指令窗口大小以增加IPC，但类似解码器宽度或者是执行管道这种则超出了修改范围。这种半定制设计可以使得厂商能够将自己的产品与ARM公版区别开来，同时也可以省去重新开发的架构所需的时间和费用。尽管我们并不知道高通的Kryo280是基于哪个公版进行的修改，但两个CPU集群确实都是采用了半定制设计。并且高通宣称，其内存控制器也是自己设计的。

在GeekBench4的单线程整数跑分测试中，可以看到骁龙835相比前代的821基本上是六四开的赢面。尽管在整数IPC方面有所长进，但在Canny(边缘检测)、JPGE、PDF渲染方面均输给了821，有趣的是，在之前我们麒麟960的性能测试中，也是这几项输给了骁龙821，而这些整数测试的成绩大多依靠L1、L2缓存，因此ANANDTECH推测，可能Kryo280就是基于ARM A73公版半定制化。另外，骁龙835在GeekBench4其它子项目的成绩都与麒麟960比较接近，这也并非是主频或测试方法可以干预的。因此说明，即便通过BoC修改的半定制架构，可修改的幅度也比较有限。

而在GeekBench4单线程整数运算(加入频率)测试中，用上表整体整数除以频率，可以更直接的比较不同架构间的IPC。可以看到，Kryo280与A73架构成绩还是比较接近，其整数IPC比A72高出6%，比A57高出14%，不过与骁龙821相比，则高出22%。

而在浮点运算中，令我们非常意外的是Kryo280的竟然全面落后骁龙821。按笔者的猜测，Kryo的浮点运算一直是其强项，而到了Kryo280，并没有采用全自主设计，而BoC可改动的幅度又小，因此才出现了这种情况。不过可以看到，Kryo280与麒麟960的A73成绩比较相当。

在之前麒麟960测试A73时，考虑到A73的NEON执行单元与A72相比并没有改变，而降低了特殊指令的延迟，当时猜测有些测试项目受到A73解码器宽度的变化。因此，麒麟960的A73与骁龙835的Kryo280都显示出了相比A72减少了L2缓存的读/写带宽(以及较低的L1写入带宽)，这也可能对性能造成影响。

而将频率计算进去，Kryo280则悲剧的败给骁龙821 23%，不知道高通究竟是因为妥协的结果还是自己设计思路上的改变。两年前高通在研发Kryo时，就考虑到未来的新工作所需的变化，因此将更多的工作由GPU或DSP来提高效率，因此也可以接受牺牲一些浮点运算来节省面积或功耗。

内存测试方面，Kryo280、A73、A72和A57内核都有2个地址生成单元(AGU)，但A72和A57可以使用专门的AGU进行加载和储存操作，Kryo280和A73的每个AGU都进行加载和储存同时进行。因此，对于A73架构，这样的策略相当于减少了内存延迟，并且增加内存带宽。

而对于Kryo280来说，相比麒麟960还甚至增加了11%，对比骁龙821和810都有所增加。但并没有A72到A73升级幅度大，因为在骁龙821的Kryo中，就已经可以做到单个AGU同时进行加载和储存，只不过之前的内存延迟更高而已。

系统性能测试：

▲总分

直到目前，我们可以初步认为骁龙835的Kryo280相当于一个BigLittle组合的半定制A53+A73 CPU内核，其整数与浮点运算都接近于麒麟960.而像PCMark这样系统级的测试，其中就包括了调用安卓标准的API接口来强调CPU、GPU、RAM以及NAND储存的实际工作负载。但我们都知道，手机系统的体验不仅仅取决于硬件性能，还取决于厂家对其系统的优化，包括程序的优先级以及动态电压频率调整的策略，以控制手机的发热等问题。不过这并不妨碍我们看到骁龙835的原型测试机在PCMark排名第一，超越了Mate9的麒麟960，并且比骁龙821还领先了23%。

▲网页测试

网页测试，骁龙835的原型机表现良好，超过Mate9 10%，并且超过骁龙821 34%。不过尴尬的是采用骁龙820/821的机器全部落后于麒麟960、麒麟950，看起来还是有些悲剧。

▲写入测试

在写入操作时(包括对PDF文件的处理和加密)，内存测试以及将文件读取和写入闪存时，会在CPU的大核上有所要求。因此这个测试会产生一些多变的结果。比如乐Pro3会比S7 Edge快40%，而骁龙835则与Mate9之间差异很小，不过对比骁龙821的产品，还是体现出吊打级的优势。

▲数据操作

数据操作测试中，主要测试的是整数工作负载，用于测量从多种不同文件类型中分析数据所需的时间，然后与动图表交互记录帧率。骁龙835的原型机与Mate9在此相差无几，不过也是唯二冲上5000分的，对其它821的机器又是一顿吊打。。。

▲视频编辑测试

视频编辑测试：采用OpenGL ES 2.0着色器提供视频效果进行视频编辑测试，对系统来说属于比较轻量级的测试。在测试中，我们发现GPU基本处于空闲状态，大多数情况下都由CPU的小核心完成。因此可以看到，基本上每款产品的成绩都差不多。

▲照片编辑测试

照片编辑测试则是采用多种照片的效果和滤镜来测试CPU和GPU，由于Adreno GPU上强大的ALU性能，骁龙835和骁龙820/821则位居前列。Adreno 540又一次吊打了Mali T系列和G71。

在Kraken 1.1测试中(使用Chrome、Safari、IE)，iPhone表现最好，不过这也并不足以证明苹果A系列芯片与安卓其它SoC之间的差异，因为它们分别采用不同的浏览器。而iPhone性能优势很大一部分来自Safari的JavaScrip引擎。

而骁龙835的原型机与其它使用Chrome的手机相比，在Kraken测试中与骁龙821的产品并没有太大差别，在JetSteam中与Mate9相近，而在WebXPRT 2015测试中，则大幅度领先骁龙820/821的产品。

GPU性能测试：

GPU方面，此次骁龙835采用Adreno 540，与之前骁龙821的Adreno 530架构基本相同，并且对ALU以及文件寄存器进行了一些优化，并且通过改进深度过滤器来减少每个像素的工作量，进一步提高性能和降低功耗。为此，高通官方宣称Adreno 540的3D渲染相比530提高25%，GPU的主频峰值也达到710MHz，相比Adreno 530提升了14%。

GFXBench的霸王龙测试是一款基于OpenGL ES 2.0的游戏模拟测试，我们看到骁龙835的原型机与iPhone7 Plus、Mate9都达到60帧的成绩，不过Mate9与iPhone7 Plus都为1080P屏幕，而骁龙835的原型机则是第一款达到这样成绩的2K分辨率的产品。

而在离屏(固定以1080P分辨率渲染)测试中，骁龙835的性能则超过了iPhone7 Plus与Mate 9，甚至比骁龙820提升了25%，与高通官方宣称的一致。

在GFXBench的高性能Car chase测试模拟了现代渲染管道，其中包含OpenGL ES 3.1以及安卓扩展包，主要是考验ALU性能。在这一测试中，骁龙835吃了分辨率的亏，成绩落后于一加3T以及Mate9。而当离屏状态下，则重回第一。一般来说，厂商的PPT多少都有些夸大的意味，而在GPU部分，高通则确实做到了他们PPT中所承诺的提升，甚至在离屏测试中比Mate9的Mali G71 mp8还要强大。而Mali G71则是基于ARM最新的Bifrost架构，主频甚至到了960MHz至1037MHz。

在3DMark中Sling Shot Extreme测试中，采用安卓上的OpenGL ES 3.1或iOS上的Metal，通过2K分辨率来进行渲染来强调GPU和内存的性能。在于A10、Exynos 8890,麒麟960以及骁龙820，几乎当前所有顶尖处理器在一起评比，因此骁龙835在总分测试中排名第一、图形测试中iPhone 7 Plus高10%，比820和8890版的S7高了24%，这样的成绩还是非常有意义的。

在第二个测试中强调了GPU着色器的性能，因此我们可以看到Adreno 540有了明显的提升，相比Adreno 530的S7提升34%，超过了Mate 9的G71 50%，高通在ALU以及文件寄存器上的提升看到了效果。物理测试主要是在CPU上运行，并且受SoC内存管理器随机访问的严重影响，因此尽管CPU表现接近，但骁龙835还是比Mate9快了14%。而或许是由于骁龙835的内存管理比麒麟960的内存延迟更低而带宽更宽。

Basemark ES 3.1测试模拟了安卓OpenGL ES 3.1和iOS上的Metal，包括了许多后期处理、粒子和照明效果，但不像GFXBench 4.0 Car Chase测试中的计算。

在Vulkan被加入到基准测试中之前，安卓设备大多依赖OpenGL，使得对比运行Metal的图形API的iPhone处于很大的劣势。使得骁龙835比iPhone7 Plus落后73%。而在Basemark ES 3.1测试中，ARM的Mali GPU居然超过了Adreno，Exynos 8890的Mali-T880 MP12比骁龙820的Adreno 530快15%，而麒麟960的Mali-G71MP8在屏幕测试中比S835的Adreno 540快25%。而骁龙835则比Pixel XL提升了40%。

所有的游戏模拟测试，都展现出Adreno 540优秀的ALU性能。因此我们测试骁龙835在GFXBench中合成的ALU测试，不过奇怪的是提升的微架构相比820并没有多少用。在表格中，骁龙835相比于骁龙820/821的提升都与主频对应。

功耗测试：

功耗方面，通过测试骁龙820以及骁龙835两款原型机，骁龙820的平均功耗为4.6W，而骁龙835则降至3.56W，功耗降低了23%。不过在实际使用中，不同用户有不同的使用场景，因此这个结论暂时也只能当做参考。

总结：

如今的手机SoC包含了CPU、GPU、高性能DSP、低功率DSP、ISP、Modem、固定功能模块（音频、视频解码），在这么多电器元件中，CPU，GPU和内存性能这些都很容易测试。但能导致SoC设计中有较大差异的部分，比如DSP，ISP和其他方面的测试则并不容易，而恰好，这些则是高通的强项。

在测试中，我们猜测骁龙835的Kryo280架构可以看成一个A53+A73的半定制架构，Kryo280的大核的整数与浮点IPC与麒麟960中的A73非常接近，而与骁龙821相比之下，整数运算有了明显提升，浮点运算则全面落后，但总体来说，进步大于落后。在测试中，毫无疑问，相比骁龙821，骁龙835有着更好的体验。尽管测试数据都是基于高通原型机，而在笔者实际体验量产版的骁龙835（小米6）一段时间后，感觉高通骁龙835确实有着不错的使用体验：稳定流畅且不热。而给笔者最大的感觉则是相比于骁龙820，骁龙835几乎能有“看得见般”体验的提升。对于当前性能逐渐“挤牙膏”的智能手机，此次骁龙835确实表现非常不错。

骁龙835怎么样？

1、骁龙835（SoC部分）采用三星10nm FinFET制程工艺打造，与上一代14nm FinFET相比，新工艺能在减少30%芯片面积的基础上，同时实现27%的性能提升或40%的功耗降低。而这对于骁龙835来说，就是SoC部分的芯片尺寸更加小，为主板/机身内部腾出更多空间，让OEM厂商能放更多模块或者加大电池。

2、10nm FinFET制程工艺下也会带来续航性能上的提升、发热的降低，相信搭载骁龙835的移动终端将会有更优秀的续航性能和发热表现。

骁龙835有什么好处

骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。

中文名

骁龙835[1]

外文名

Qualcomm Snapdragon 835 Processor

厂商

高通[1]

用途

手机等移动终端

发布

2016年11月17日，高通正式公布了骁龙835处理器。[2]

骁龙835已经开始进行生产，2017年上半年正式出货。[2]

性能

制程工艺

高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。[1]

2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。[2]

核心

骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。[3]



快速充电

新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。[2]

Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，适配范围更广泛。